MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB

ON Semiconductor

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:74A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:9.3 毫欧 @ 37A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 24V,功率 - 最大值:80W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

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